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SI/502315
oSiC-PVInv – Optimierter SiC PV-Wechselrichter
Zusammenfassung
Ein PV-Wechselrichter im Leistungsbereich von 5-10kW wird auf Basis einer Cool SiC MOSFET Brücke von Infineon realisiert, im Labor vermessen und mit einem kommerziellen Si-basierten PV-Wechselrichter verglichen. Im Labor unter reproduzierbaren Bedingungen werden die Leistungskurven unter verschiedenen Lastbedungen von beiden Systemen gemessen. Daraus können Verluste quantifiziert, Leistungsdichten berechnet und Effizienzsteigerungen bestimmt werden, um die Vorteile der neuen SiC-Technologie in PV-Wechselrichtern aufzuzeigen.
Weitere Texte
Schlussbericht
Im Projekt oSiC-PVInv wurde ein PV-Wechselrichtersystem basierend auf SiC Halbleiterschaltern mit einem kommerziellen PV-Wechselrichterreferenzsystem mit Si Halbleiterschaltern bezüglich der Konvertereffizienz verglichen. Das Projekt umfasst die Analyse sowie Effizienzmessungen am kommerziellen Si-System. Eine Simulation der neuen SiC-basierten PV-Wechselrichterhardware wurde durchgeführt. Ein neues Hardwaredesign mit Implementierung der Regelung wurde aufgebaut. Die Effizienz des neu entwickelten SiC basierten PV-Wechselrichters wurde bestimmt und mit dem kommerziellen System verglichen. Die ermittelte Effizienz der Boost-Konverterstufe ist hierbei beim neu entwickelten PV-Wechselrichter um 1.39 % - 1.56 % höher als die Effizienz des Referenzwechselrichters. Die Effizienz der NPC-Konverterstufe liegt um 1.08 % - 2 % höher. Somit resultiert eine Effizienzsteigerung von 1.47-3.56 % für das Gesamtsystem, bzw. 2.66 % bezogen auf die jährlich erzeugte Energie unter Berücksichtigung der variierenden PV-Eingangsleistungen.
Projektdetails
- Forschungsstelle
- BFE
- Projektstatus
- Abgeschlossen
- Projekttyp
- Forschungsprojekt
- Startdatum
- 2021-10-31
- Enddatum
- 2024-04-29
- Bewilligte Gesamtkosten
- CHF 85000.00
- Sektion
- Elektrizitätstechnologien
- NABS Politikbereich
- Erzeugung, Verteilung und rationelle Nutzung der Energie