51090.1 IP-EE

Résumé

Next generAtion SiC Power electronIcs foR E-mobility (ASPIRE)

Textes supplémentaires

Abstract

ASPIRE aims at demonstrating 4H-SiC vertical power MOSFETs with improved performances in terms of on-state resistance and reliability by deploying the next generation of high-k gate stacks and interfaces via multilayer dielectrics and plasma treatments produced via large-scale proven processes.

Participants

Stephan Wirths

Wirtschaftspartner

Hitachi Energy AG CHE-339.599.331 Stephan Wirths Brown-Boveri-Strasse 5 8050 Zürich ZH CH

Andrea Ingenito

Kontaktperson

CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique Andrea Ingenito Rue Jaquet-Droz 1 2002 Neuchâtel NE CH

Détails du projet

Office de recherche: INNOSUISSE
Statut du projet: Abgeschlossen
Type de projet: Forschungsprojekt
Date de début: 2021-05-31
Date de fin: 2023-11-30
Coûts totaux approuvés: CHF 339192.80
Section: 80 Energy & Environment
Domaine politique NABS: Industrielle Produktivität und Technologie

Disciplines de recherche

T003 Transport technology 100.0%