51090.1 IP-EE

Zusammenfassung

Next generAtion SiC Power electronIcs foR E-mobility (ASPIRE)

Weitere Texte

Abstract

ASPIRE aims at demonstrating 4H-SiC vertical power MOSFETs with improved performances in terms of on-state resistance and reliability by deploying the next generation of high-k gate stacks and interfaces via multilayer dielectrics and plasma treatments produced via large-scale proven processes.

Beteiligte

Stephan Wirths

Wirtschaftspartner

Hitachi Energy AG CHE-339.599.331 Stephan Wirths Brown-Boveri-Strasse 5 8050 Zürich ZH CH

Andrea Ingenito

Kontaktperson

CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique Andrea Ingenito Rue Jaquet-Droz 1 2002 Neuchâtel NE CH

Projektdetails

Forschungsstelle: INNOSUISSE
Projektstatus: Abgeschlossen
Projekttyp: Forschungsprojekt
Startdatum: 2021-05-31
Enddatum: 2023-11-30
Bewilligte Gesamtkosten: CHF 339192.80
Sektion: 80 Energy & Environment
NABS Politikbereich: Industrielle Produktivität und Technologie

Forschungsdisziplinen

T003 Transport technology 100.0%